ESD對于電路引起的干擾、對元器件、CMOS電路及接口電路造成的破壞等問題越來越引起人們的重視。ESD防靜電的問題逐漸被人提及重視。ESD造成元器件失效，我們來了解一下：
    1、當(dāng)帶電物體通過器件形成一個放電通路時(shí)或帶電器件本身有一個放電通路時(shí)，就會產(chǎn)生ESD而造成器件的失效，失效模式有突發(fā)性*失效和潛在性緩慢失效。
    (1)突發(fā)性*失效：器件的芯片介質(zhì)擊穿或燒毀、一個或多個電參數(shù)突然劣化，*失去規(guī)定功能的失效。通常表現(xiàn)為開路、短路、以及電參數(shù)嚴(yán)重漂移。概率約10%
    (2)潛在性緩慢失效：器件受到ESD造成輕微損傷，器件的性能劣化或參數(shù)指標(biāo)下降而成為隱患，使該電路在以后的工作中，參數(shù)劣化逐漸加重，zui終失效。概率約90%
    2、ESD引起信息出錯，導(dǎo)致設(shè)備故障ESD會在設(shè)備各處產(chǎn)生一個幅值為幾十伏的干擾脈沖，引起信息出錯，導(dǎo)致設(shè)備的故障ESD也可產(chǎn)生頻帶幾百千赫～幾十兆赫、電平高達(dá)幾十毫伏的電磁脈沖干擾。當(dāng)脈沖干擾耦合到敏感電路時(shí)，也會引起信息出錯，導(dǎo)致設(shè)備的故障。
    3、高壓靜電吸附塵埃微粒
    靜電電荷易吸附塵埃微粒，污染PCB板和半導(dǎo)體芯片，使其絕緣電阻下降，影響器件工作。嚴(yán)重時(shí)會引起器件故障（例如：CMOS電路發(fā)生閂鎖）。